英国剑桥大学教授Arokia Nathan到微电子所访问交流并受聘“微电子所客座研究员”

9月7日，剑桥大学Arokia Nathan教授到微电子所进行学术交流，并作了题为 “Thin Film Transistor Technologies and Ultralow Power Flexible Electronics”的报告。来自全所各部门的科研人员、研究生共40余人参加了交流会。微电子重点实验室副研究员耿玓主持交流会。 

　　柔性电子产品，特别是应用于可穿戴产品和传感产品，需要重点考虑低电压、低功耗操作。这不仅影响电池寿命的最大化，还影响薄膜晶体管（TFT）电路和系统的操作稳定性。Arokia Nathan教授在报告中回顾了TFT技术以及超低功耗操作的设计和材料选择策略，研究了导致TFT高工作电压的主要原因，讨论了抑制界面陷阱密度的工艺条件。低电压薄膜晶体管的最新进展表明，亚阈值斜率接近热离子极限q/kT是可能的。基于这些因素，Arokia Nathan教授课题组提出了一种全喷墨打印超低功耗高增益放大器，可以通过检测人体眼电图信号进行眼动跟踪。会上，Arokia Nathan教授同与会人员就薄膜晶体管、柔性电子、显示等行业关注的技术问题进行了热烈的学术讨论。 

　　会上，人事处处长王雷向Arokia Nathan教授颁发了“中国科学院微电子研究所客座研究员”证书。 

　　Arokia Nathan教授现任剑桥大学电子工程系教授，英国IET Fellow，美国IEEE Fellow，IEEE EDS杰出讲师，长期从事纳米光电材料及器件、新型光电显示技术和新型薄膜晶体管的应用基础研究，在传感器技术、CAD和薄膜晶体管器件方面发表了超过600篇的学术论文，拥有超过110项发明专利，编写和参与编写5本有关CCD传感器和薄膜晶体管的专著。 

颁发微电子所客座研究员”证书 

Arokia Nathan教授作报告

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