GE压力传感技术发布新型沟槽刻蚀谐振式(TERPS)压力传感器技术平台RPS8000

　　【赛斯维传感器网】August 8, 2010- GE检测控制技术业务旗下压力传感技术部门最新发布新型沟槽刻蚀谐振式(TERPS)压力传感器技术平台RPS8000，在显著提高与传统谐振压力技术相关的压力测试范围的能力的同时，提供10倍于现有的压阻式压力传感器的精度和稳定性。沟槽刻蚀谐振式压力传感器是在对现有硅谐振压力传感器的设计和制造过程进行深入的研发结果，它在从航空航天到海洋工程,海底勘探作业，从过程工艺到工业仪器设备等领域得到广泛应用。

　　该产品经理Steve Sajben解释：通过继承我们旗下德鲁克技术，我们几年就前已经能够提供RPT系列的硅谐振产品。在这段时间里，我们通过公司内部以及与相关研发机构合作，进一步拓展了并研发出更先进的制造工艺，使GE提供的压力传感器不仅仅具有硅谐振压力传感器固有的准确性和稳定性，而且在压力范围、温度范围和机械封装等方面都有极大地提高。

　　沟槽刻蚀谐振式（TERPS）压力传感器工作原理和GE公司已有的谐振硅压力传感器一致。硅共振结构通过静电场而驱动，当压力施加到膜片上时，硅谐振器就像一个吉他弦一样被拉伸，改变它的频率，这种频率的变化直接与施加的压力相关。

　　因为采用了单晶硅结构的力学特性，谐振硅压力传感器比压阻式以及许多其他的压力测量技术更加精确和稳定。主要的特性在于硅在其断裂点之前完全弹性，完美的力学特性为传感器带来一个高品质的谐振（高Q值因子），其频率稳定性不受产品内电子特性的影响。相比之下，压阻技术需要把电阻元件引入到硅晶体结构中。这些应力灵敏电阻的电学性能不稳定，对电学增益敏感。由于谐振传感器充分利用硅的机械性能，具有很低的滞后和重复性错误以及非常好的长期稳定性能。温度特性的可重复型使其可以被修正。这些方面的特性一起造就了沟槽刻蚀谐振式压力传感器对压力和温度变化下的极高的性能。

　　通过使用深度反应离子刻蚀工艺技术，它可以在谐振腔内构建任意复杂的几何结构。这对于优化设计和谐振器的性能以实现更高的压力范围和温度范围是非常必要的。此外，硅熔融键合的使用使得传感器的组件可以分开单独加工，熔融在一起后仍保留单晶硅的特性。同时，传感器部件设计的极大灵活性可使其拥有更高的压力和温度范围。

　　这两个工艺伴随着其他专有的设计组件，例如一个新的从谐振器中得到更强的信号的频率检测方法，使得该传感器可采用重油隔离膜片封装方式。相对于其他仅限于干燥无腐蚀性气体的高精度传感技术而言，这是一个极大的改进。此外，沟槽刻蚀谐振式压力传感器中相关电子器件的近一步开发使其可以应用与更高的温度环境。

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