背照技术：三星双发高端CMOS图像传感器（图）

　　三星电子今天宣布了两款新的CMOS图像传感器“S5K4E5”、“S5K2N1”，均采用了所谓的背面照度(BSI)像素技术。

　　相比于前面照度(FSI)，背面照明改为从像素的后面搜集光子，反转的架构也将光敏二极管转移到顶部，从而实现光电效率的最大化，因为光不会在穿过金属线、电介质层的时候分散而导致光子丢失。三星宣称，在同样大小的像素尺寸下，背面光照技术可将弱光敏感度提高30％，并有效控制色度亮度干扰，从而显著改进色彩和光电性能。

　　S5K4E5主要面向智能手机，1/4英寸光学格式、1.4微米、500万像素，支持全高清实时视频，帧率30FPS，并大大缩短了拍照间隔时间，此外还有更大的主光角(CRA)，从而降低传感器封装厚度，更适合超轻薄型的智能手机。

　　S5K2N1主要面向数码相机、录像机，1/2.33英寸光学格式、1.4微米、1460万像素，支持30FPS全高清视频，并采用三星低功耗90nm工艺制造、TePLCC封装，能够更高效地排出高性能设备释放的热量。

　　两款传感器还都支持60FPS帧率的全高清视频捕捉。

　　S5K4E5的样品现已供货，将从今年第四季度起量产。S5K2N1将于第四季度试产，明年第一季度量产。

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